III/V-Halbleiterschichten auf Silizium-Substrat
Fraunhofer IAF – Im Rahmen von Green ICT @ FMD arbeitet das IAF an der Entwicklung eines Prozesses zur Herstellung von III/V‑Halbleiterschichten auf Si-Substraten zur Minimierung des Arsen-Anteils in Bauelementen. Für die Qualifizierung des Substrattransferprozesses konnten InGaAs Verstärker ICs auf Silizium-Substraten mit ausgezeichneten Höchstfrequenzeigenschaften realisiert werden.