Umweltfreundliche Nass-Reinigung in Dual-Damascene-Prozessen der Halbleiterfertigung: Post TiN etch und Oxid-Etch cleaning
Fraunhofer IPMS – Im Projekt IFTiN wurden zwei Fluide der intelligent fluids GmbH mit zwei Referenzchemien im Dual Damascene-Prozess auf 300-mm-Wafern verglichen.
Die Reinigungsleistung, CD-Veränderungen sowie Residuen- und Resist-Entfernung wurden mittels CD-SEM, Defect Inspection und AFM bewertet; TiN-, Oxid- und Kupferstrukturen blieben unverändert, der Resist zuverlässig entfernt.
IF I/IF II erreichten Residuenentfernung vergleichbar bis besser als dHF- bzw. EKC580-Referenzen und zeigten strukturgrößenabhängige Unterschiede.
Die CO2e-LCA ergab, dass die Prozessdauer der maßgebliche Emissionstreiber ist; Entsorgung bei intelligent fluids ist deutlich vereinfacht, weitere Daten zur Entsorgung und weitere Optimierungen sind erforderlich.