Green ICT @ FMD ReferenzdatenCarbon Footprint der Epitaxy von GaN auf SiC für HEMT

Technologiebeschreibung:

Beschrieben wird der IAF Epitaxiprozess für GaN HEMT auf SiC für Hochfrequenzschaltungen. Eine einkristalline Gallium-Nitrid-Schicht wird mithilfe von MOCVD (Metallorganische Chemische Gasphasenabscheidung) auf SiC-Wafer gewachsen. Der epitaxierte Wafer kann nachfolgend zu ICs für Leistungselektronik sowie RF-Anwendungen verarbeitet werden. Der Prozess findet in einer Forschungsumgebung in Deutschland statt.

Bezugsgröße:

1 mm² funktionale Chipfläche

Copyright:

Systemgrenzen:

Methodische Aspekte:

Modeliert mithilfe von openlca mit der Ecoinvent v3.10 cutoff Datenbank. Market Europe/ReW wenn möglich. Fehlende Daten zu Chemikalien mithilfe von RREM (Huber2022). Infrastrukturverbräuche auf Basis von SEMI S23. Folgenabschätzung mit der EF3.1 Methode. Skalierung auf von Forschungs-Reinraum auf industriellen Fertigung mit 150 mm, dafür anpassung der Wafergröße und Yields. (Lineyield 92%, Cut to Die Yield 85%, Die Yield 87,64)

Datenqualität, -herkunft:

Strom- und Materialienverbrauch gemessen. Upstream-Bilanzen aus Ecoinvent 3.10. Keine weiteren Verbrauchsmaterialien berücksichtigt.