Green ICT @ FMD ReferenzdatenCarbon Footprint Bipolar InP-HBT
- Kommunikationsinfrastrukturen
Technologiebeschreibung:
Indiumphosphid (InP) ermöglicht bei Frequenzen über 100 GHz höhere Ausgangsleistungen und einen besseren Wirkungsgrad im Vergleich zu anderen gängigen Halbleitermaterialien. Die betrachtete Lösung basiert auf einem vollständigen MMIC-Stack mit drei Metallisierungsebenen sowie Strukturgrößen von 850 nm und 500 nm.
Bezugsgröße:
pro mm² funktionale Chipfläche
Copyright:
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) - Dieser Datensatz ist im öffentlich geförderten Projekt Green ICT @ FMD entstanden und ist zu 100 % vom BMFTR gefördert mehr InformationenSystemgrenzen:
Cradle-to-gate; Es werden die FEOL- und BEOL-Prozessschritte im Reinraum des Ferdinand-Braun-Instituts berücksichtigt, einschließlich des gesamten Reinraumbetriebs und der eingesetzten Ausstattung.Methodische Aspekte:
Die vorliegenden Ergebnisse basieren auf der Hochskalierung der Werte des InP-HBT-Prozesses aus dem Forschungs-Reinraum (Lab) auf eine industrielle Fertigung (Fab) auf 1000 m². Skalierung auf basis einer industriellen Fertigung mit 150 mm, einem Line-Yield von 92 %, einem Cut-to-Die-Yield von 85 % und einem Die Yield von 86 %)
Datenqualität, -herkunft:
Für Materialflüsse sowie Strom- und Energieverbräuche wurden Primärdaten erhoben. Die entsprechenden CO₂-Emissionen wurden anschließend mithilfe von Sekundärdaten aus öffentlich zugänglichen Quellen (z. B. BAFA, ProBas, Fachliteratur) berechnet. Für den InP-Wafer kamen ebenfalls Sekundärdaten aus der Literatur zum Einsatz (Rolleau et al., 2024).
Für bestimmte Chemikalien standen aufgrund eingeschränkter Datenverfügbarkeit keine Sekundärdaten zur CO₂-Intensität zur Verfügung. Aufgrund der vergleichsweise geringen Mengen stellt diese Datenlücke jedoch keine wesentliche Einschränkung dar.
Datenübersicht:
| Wert | Einheit | |
|---|---|---|
| Global Warming Potential (GWP) | 24,8 | g CO2e |