Green ICT @ FMD ReferenzdatenOptimierung einer NF3-Kammerreinigung einer PECVD Anlage
| Kategorien | Copyright? | Bezugsjahr: | Geographischer Bezug: |
|---|---|---|---|
| Ja | 2024 | Deutschland |
Technologiebeschreibung:
Für die Prozessoptimierung wurde die Auswirkungen der Variation von NF3-Fluss (1,5-5 slm), Prozessdruck (2 Torr, 4 Torr) und Substrathalterposition (10 mm, 65 mm) auf das Reinigungsergebnis untersucht. Das Reinigungsergebnis wurde anhand von Endpunktkurve, Abtragsrate und Monitoring des Partikelniveaus bewertet. In der Datentabelle sind der NF3 Verbrauch je 1000 nm abgeschiedenes SiO2 für den Standardreinigungsprozess und für den final optimierten Reinigungsprozess dargestellt. Alle anderen Parameter, wie Leistung oder Temperatur, wurden während der Versuche konstant gehalten.
Bezugsgröße:
je 1000 nm SiO2
Copyright:
Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik (IHP) - Dieser Datensatz ist im öffentlich geförderten Projekt Green ICT @ FMD entstanden und ist zu 100% vom BMBF gefördert. mehr InformationenSystemgrenzen:
ProzessbilanzMethodische Aspekte:
Datenqualität, -herkunft:
Primärdaten, Messdaten
Datenübersicht:
| Einsparungspotential | Einheit | |
|---|---|---|
| Materialeinsparung (Chemikalien, etc.) | 77,5 | % |
Im Standardreinigungsprozess (@2 Torr, 10 mm, 5,0 slm NF3-Fluss) wurden 11,5 Liter NF3/1000nm SiO2 verbraucht, während die absolute Menge an NF3 im optimieren Reinigungsprozess (@ 2 Torr, 65 mm, 2,0 slm NF3 Fluss) 2,53 Liter/1000nm SiO2 entspricht. | ||