Green ICT @ FMD Reference DataLP-CVD Anlage
Kategorien:
- Microelectronics production
Copyright?
Ja
Bezugsjahr:
2024
Geographischer Bezug:
Deutschland
Technologiebeschreibung:
Die Schichtdickenspannweite über einen Batch bei einer Polysiliziumabscheidung wurde durch Optimierung der Temperatur innerhalb des Prozessrohres reduziert, wodurch ein Batch mit 25 Wafern mit nur einem statt zwei Runs bearbeitet werden kann. Dadurch kann sowohl Energie und Chemie eingespart werden.
Bezugsgröße:
25 Wafer
Copyright:
Fraunhofer IPMS - Dieser Datensatz ist im öffentlich geförderten Projekt Green ICT @ FMD entstanden und ist zu 100% vom BMFTR gefördert. mehr InformationenSystemgrenzen:
ProzessbilanzDatenqualität, -herkunft:
Die Daten für den Materialverbrauch von Silan (SiH4) und der Energie wurden mit Hilfe des hausinternen Produktionssystems ermittelt.
Datenübersicht:
Einsparung
| Wert | Einheit | |
|---|---|---|
| Saving on chemicals | 0,5 | kg SiH4 / Jahr |
| Einsparung von Energie | 336 | kWh Energie / Jahr |
Durch Optimierung der Polysiliziumabscheidung können pro Jahr 0,5kg SiH4 und 336kWh Energie gespart werden. | ||